PBSS4350X,135 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 Trench MOS 工艺制造。该器件适用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):50A
导通电阻(RDS(on)):@ VGS=10V 时为 4.3mΩ,@ VGS=4.5V 时为 5.8mΩ
功耗(Ptot):100W
封装形式:LFPAK56 (Power-SO8)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
PBSS4350X,135 具备多项优异特性,使其在功率管理领域表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。在 VGS=10V 时仅为 4.3mΩ,即使在较低的 VGS=4.5V 时也保持在 5.8mΩ,这使得它适用于 5V 驱动电路。此外,该器件具有高电流承载能力,可支持高达 50A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
该 MOSFET 采用 LFPAK56(又称 Power-SO8)封装,具有出色的热性能和机械稳定性,能够有效散热,提高器件在高负载条件下的可靠性。封装尺寸紧凑,适合高密度 PCB 设计,并支持自动贴片工艺,便于量产。
其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应各种严苛环境下的运行需求。同时,该器件的栅极驱动电压范围宽广(±20V),兼容多种驱动电路设计,增强了系统的灵活性和稳定性。
PBSS4350X,135 适用于多种电源管理与功率控制应用。常见用于 DC-DC 转换器中的同步整流器,以提高转换效率并减小电路尺寸;在负载开关电路中,用于高效控制电源供应;在电机驱动电路中,用于实现高速开关与低损耗控制;此外,它还可用于电池管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制以及汽车电子等高性能功率应用场合。
IRF3710, STB45N40K5AG, IPW90R030C3