时间：2025/9/14 15:48:14
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PBSS4350X,135 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 工艺制造。该器件适用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS=10V 时为 4.3mΩ，@ VGS=4.5V 时为 5.8mΩ
功耗（Ptot）：100W
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PBSS4350X,135 具备多项优异特性，使其在功率管理领域表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 VGS=10V 时仅为 4.3mΩ，即使在较低的 VGS=4.5V 时也保持在 5.8mΩ，这使得它适用于 5V 驱动电路。此外，该器件具有高电流承载能力，可支持高达 50A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
该 MOSFET 采用 LFPAK56（又称 Power-SO8）封装，具有出色的热性能和机械稳定性，能够有效散热，提高器件在高负载条件下的可靠性。封装尺寸紧凑，适合高密度 PCB 设计，并支持自动贴片工艺，便于量产。
其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应各种严苛环境下的运行需求。同时，该器件的栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了系统的灵活性和稳定性。
PBSS4350X,135 适用于多种电源管理与功率控制应用。常见用于 DC-DC 转换器中的同步整流器，以提高转换效率并减小电路尺寸；在负载开关电路中，用于高效控制电源供应；在电机驱动电路中，用于实现高速开关与低损耗控制；此外，它还可用于电池管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制以及汽车电子等高性能功率应用场合。
IRF3710, STB45N40K5AG, IPW90R030C3
