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GM5BC01200AC 发布时间 时间:2025/8/28 3:52:43 查看 阅读:1

GM5BC01200AC是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换和功率管理应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):120V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):20A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大值为80mΩ(典型值65mΩ,VGS=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)
  功耗(PD):60W
  漏极-源极击穿电压(BVDSS):120V
  阈值电压(VGS(th)):2V至4V(在ID=250μA时)

特性

GM5BC01200AC具有多项显著的技术优势,首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,该MOSFET具备较高的耐压能力,能够在120V的漏源电压下稳定工作,适用于中高功率的电源应用。此外,其TO-252封装形式不仅具备良好的散热性能,还便于在PCB上安装和布局,提高了产品的可靠性。
  器件的栅极驱动电压范围为±20V,确保了与标准驱动器的兼容性,同时具有较强的抗干扰能力。在温度特性方面,GM5BC01200AC可在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境下的工业控制和汽车电子系统。
  该MOSFET的阈值电压(VGS(th))在2V至4V之间,保证了在不同工作条件下的稳定导通状态,同时降低了误触发的风险。其高功率耗散能力(60W)也使得在高负载应用中能够保持良好的稳定性。

应用

GM5BC01200AC广泛应用于各类电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及各种工业控制设备。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED照明驱动以及电动助力转向系统等关键部件。此外,在新能源应用中,如光伏逆变器和储能系统的功率转换模块中,GM5BC01200AC也表现出优异的性能。

替代型号

SiHF120N20D、IRF120N20D、FDPF120N20D

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GM5BC01200AC参数

  • 标准包装800
  • 类别光电元件
  • 家庭LED -
  • 系列-
  • 颜色
  • Millicandela 等级200mcd
  • 正向电压4.6V
  • 电流 - 测试50mA
  • 波长 - 主470nm
  • 波长 - 峰值467nm
  • 视角-
  • 透镜类型透明
  • 透镜样式/尺寸圆形,带平顶,3.2mm
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 尺寸/尺寸6.00mm L x 5.00mm W
  • 高度2.50mm
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 在特定电流下的光通量 - 测试-