GM5BC01200AC是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换和功率管理应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):120V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):20A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大值为80mΩ(典型值65mΩ,VGS=10V)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
功耗(PD):60W
漏极-源极击穿电压(BVDSS):120V
阈值电压(VGS(th)):2V至4V(在ID=250μA时)
GM5BC01200AC具有多项显著的技术优势,首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,该MOSFET具备较高的耐压能力,能够在120V的漏源电压下稳定工作,适用于中高功率的电源应用。此外,其TO-252封装形式不仅具备良好的散热性能,还便于在PCB上安装和布局,提高了产品的可靠性。
器件的栅极驱动电压范围为±20V,确保了与标准驱动器的兼容性,同时具有较强的抗干扰能力。在温度特性方面,GM5BC01200AC可在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境下的工业控制和汽车电子系统。
该MOSFET的阈值电压(VGS(th))在2V至4V之间,保证了在不同工作条件下的稳定导通状态,同时降低了误触发的风险。其高功率耗散能力(60W)也使得在高负载应用中能够保持良好的稳定性。
GM5BC01200AC广泛应用于各类电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及各种工业控制设备。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED照明驱动以及电动助力转向系统等关键部件。此外,在新能源应用中,如光伏逆变器和储能系统的功率转换模块中,GM5BC01200AC也表现出优异的性能。
SiHF120N20D、IRF120N20D、FDPF120N20D