时间：2025/7/18 19:48:17
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GM432AST23RG是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V~2.5V
最大功耗（PD）：70W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C~150°C
GM432AST23RG具有极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其采用的沟槽技术确保了优异的热性能和高可靠性。
此外，该MOSFET的高栅极阈值电压稳定性使其在复杂的开关环境中表现出良好的抗干扰能力，适用于高频开关电源设计。
器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适合在高温环境下运行。其封装设计也便于安装散热片，进一步增强散热效果。
该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
GM432AST23RG广泛应用于多种电源管理场合，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池充放电管理系统、工业自动化设备中的负载开关控制等。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高性能的电源模块设计。
此外，该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制部分，如电动工具、车载充电器、LED驱动电源等。
在通信设备和服务器电源中，GM432AST23RG也常被用作主开关管或同步整流器，以实现更高的转换效率。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDS4410AS
