类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：3.5A
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.0Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：25W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

GM1EG35200A具备多项优异特性，使其在电源管理领域表现出色。
　　首先，该MOSFET的漏源耐压（Vds）达到200V，适用于中高压应用，能够有效支持电源转换器在较高电压下稳定工作。其栅源电压（Vgs）为±20V，确保在常见驱动电路条件下具备良好的工作稳定性，同时具备一定的过压保护能力。
　　其次，该器件的导通电阻Rds(on)在标准工作条件下低于2.0Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低导通电阻也意味着在相同电流下，产生的热量更少，有助于提高系统的热稳定性和可靠性。
　　此外，GM1EG35200A采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够有效将芯片热量传导至PCB板或散热片，提升整体热管理能力。该封装形式也适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率。
　　该MOSFET的连续漏极电流为3.5A，在多数电源应用中能够满足电流需求。其功率耗散能力为25W，表明其在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
　　最后，器件支持-55°C至+150°C的宽工作温度范围，适用于各种工业级应用场景，具备较高的环境适应性和稳定性。

GM1EG35200A广泛应用于多种电源管理系统中，适用于多种电子设备的设计和开发。
　　在开关电源（SMPS）中，该MOSFET常用于主开关或同步整流电路，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源效率并减少发热。例如，在AC-DC适配器、电源模块或LED驱动电源中，GM1EG35200A可以作为核心功率开关器件，提供稳定的电源转换性能。
　　在DC-DC转换器中，该器件适用于升压（Boost）、降压（Buck）及反相（Flyback）拓扑结构，广泛应用于车载电子、工业控制和通信设备中，实现高效能的能量转换。
　　此外，GM1EG35200A也可用于负载开关控制，如在电池管理系统中作为主开关使用，控制电源的通断，提高系统安全性。
　　该器件还可应用于电机驱动电路，如无刷直流电机控制、风扇控制或小型家电电机控制中，实现高效能的开关操作。
　　在工业自动化设备、UPS不间断电源、光伏逆变器等应用中，GM1EG35200A同样表现出色，具备良好的稳定性和耐用性。

2SK3562, 2SK2545, FQP20N20C