GLZ30D 时间：2025/12/26 12:53:21 阅读：13

GLZ30D是一种齐纳二极管（Zener Diode），属于半导体器件中的一种电压调节元件。它主要被设计用于在反向击穿区域稳定电压，能够在一定的电流范围内维持一个相对恒定的电压，从而为电路提供基准电压或过压保护功能。GLZ30D的具体命名遵循了常见的齐纳二极管型号规则，其中‘GL’可能代表制造商或产品系列，‘Z’表示其为齐纳二极管，而‘30’通常指其标称齐纳电压为30V，‘D’可能是封装类型或功率等级的标识。该器件广泛应用于电源稳压、电压参考、浪涌保护以及信号电平钳位等场合。由于其工作原理基于可控的反向击穿机制，因此具有较好的电压稳定性与温度特性，适合在中小功率电子系统中使用。GLZ30D一般采用如DO-41、SOD-323或其他类似的封装形式，具体取决于生产厂家和规格版本。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：30V
　　齐纳电压容差：±5%（典型）
　　最大耗散功率：1W（典型）
　　工作温度范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　最大反向电流：根据负载条件变化
　　动态电阻：典型值在10Ω~30Ω之间（测试条件依数据表而定）
　　温度系数：+2mV/°C（近似值，随电压值变化）

特性

GLZ30D作为一款30V齐纳电压的稳压二极管，其核心特性在于能够在反向偏置条件下实现精确且稳定的电压钳位功能。当施加在器件两端的反向电压达到其标称齐纳电压（即30V）时，器件将进入受控的雪崩击穿或齐纳击穿状态，此时即使流经器件的电流在较大范围内波动，其两端的电压仍能保持基本不变。这一特性使其成为理想的电压参考源和过压保护元件。该器件的最大功率耗散能力通常可达1W，意味着在正常散热条件下可承受一定范围内的持续反向电流而不发生热损坏。此外，GLZ30D具备良好的温度稳定性，尽管其温度系数并非完全为零，但在实际应用中可通过外围电路进行补偿以提升精度。该器件的动态阻抗较低，在典型工作电流下一般维持在10Ω至30Ω之间，这有助于减小输出电压随负载变化的波动幅度，提高稳压性能。GLZ30D还具有较快的响应速度，能够对瞬态电压突变做出迅速反应，适用于需要快速抑制电压尖峰的应用场景，例如电源输入端的瞬态抑制。其结构基于高纯度硅材料制造，采用平面工艺或扩散工艺形成PN结，确保了长期工作的可靠性和一致性。由于封装小巧（如DO-41直插式或SMD贴片型），便于在紧凑电路板上布局安装，同时具备较强的机械强度和环境适应性，可在较宽的温度范围内稳定运行。值得注意的是，使用GLZ30D时需合理设计串联限流电阻，以避免因电流过大导致器件过热失效。另外，在高频或噪声敏感电路中，建议配合滤波电容使用以进一步改善稳压效果。
　　