GLT625608-70FB 时间：2025/12/25 0:54:21 阅读：13

GLT625608-70FB 是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用，具备良好的导通特性和快速的开关性能。GLT625608-70FB采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和高耐压能力，适用于多种电源管理和功率转换应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.7Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　

特性

GLT625608-70FB具有多种优异的电气特性和可靠的设计。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用环境，同时具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态高压冲击。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，GLT625608-70FB在高频开关操作中表现出色，具备快速的开关速度和较低的开关损耗，非常适合用于高频电源转换器。
　　这款MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，还能有效提升器件的机械强度和长期可靠性。GLT625608-70FB内置了过热保护功能，当温度超过安全范围时，可以自动降低导通能力，以防止器件损坏。

应用

GLT625608-70FB广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、电机控制电路以及电池管理系统等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在高效率电源转换系统中表现尤为出色。此外，GLT625608-70FB也可用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的功率控制模块。