2SK3870-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,常用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于高效率和高功率密度的设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续:100A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220AB
2SK3870-01 MOSFET具备以下显著特性:
1. **低导通电阻**:其最大Rds(on)为6.5mΩ,在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,有助于提升系统效率。
2. **高电流承载能力**:可承受连续漏极电流高达100A,适合高功率应用场景。
3. **高耐压能力**:漏源电压(Vds)额定为60V,适用于中等电压级别的功率转换电路。
4. **高可靠性设计**:采用TO-220AB封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业环境。
5. **快速开关特性**:由于沟槽式结构的优化设计,该器件具有较低的开关损耗,适合高频开关电源和DC-DC转换器使用。
6. **栅极保护**:栅源电压容限为±20V,增强了抗过压能力,提升了器件的稳定性与使用寿命。
2SK3870-01广泛应用于多种电力电子系统中,主要包括:
1. **开关电源(SMPS)**:由于其低导通电阻和高频率特性,非常适合用于AC-DC电源转换器、同步整流器等电路中。
2. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)或降压(Buck)转换器中作为主开关元件,实现高效的电压变换。
3. **电机驱动**:适用于直流电机控制、电动工具及电动车驱动系统,提供高效率的功率输出。
4. **电池管理系统**:在电池充放电控制电路中用于功率开关控制,确保电池安全运行。
5. **工业自动化设备**:如PLC、伺服驱动器、工业电源模块等,用于实现高可靠性的功率控制。
6. **汽车电子**:在车载电源系统、电动助力转向(EPS)系统、车载充电器等中作为功率开关使用。
Si7461DP, IRF1405, FDP100N10, IPP110N10N3G, 2SK3885, 2SK3898