时间：2025/12/18 11:36:31
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GLFR1608TR55M-LR是一款由GLOFOCOM（高华科技）生产的表面贴装绕线型片式固定电感器，属于高频应用领域的高性能电感产品。该器件采用先进的陶瓷或磁性材料基板与精密绕线工艺制造，具有小尺寸、高Q值、低直流电阻（DCR）以及良好的温度稳定性等特点，适用于现代便携式电子设备中的射频（RF）电路和电源管理模块。其封装尺寸为1608（即1.6mm x 0.8mm），符合行业标准的贴片元件规格，便于在高密度PCB布局中使用。该电感的标称电感值为0.55μH，允许偏差为±20%，能够在高频通信系统中提供稳定的阻抗匹配和滤波性能。GLFR1608TR55M-LR广泛应用于智能手机、无线模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块以及其他需要高效能射频前端设计的消费类电子产品中。由于其优异的自谐振频率（SRF）特性和较低的能量损耗，这款电感特别适合用于LC谐振电路、匹配网络、噪声抑制和DC-DC转换器的输出滤波等场景。此外，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，具备良好的耐热性和长期工作稳定性，适应回流焊工艺，并能在较宽的工作温度范围内保持电气参数的一致性。
产品系列：GLFR
封装尺寸：1608（1.6×0.8mm）
电感值：0.55 μH
允差：±20%
额定电流：约250 mA（基于温升或直流偏置条件）
直流电阻（DCR）：典型值约为0.32 Ω
自谐振频率（SRF）：通常大于1 GHz（具体视测试条件而定）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
安装方式：表面贴装（SMD）
核心材料：铁氧体或陶瓷复合磁芯
屏蔽类型：非屏蔽或半屏蔽结构
GLFR1608TR55M-LR作为一款小型化高频片式电感，具备出色的高频响应能力和稳定的电气性能。其核心采用高性能铁氧体磁性材料，在保证足够磁导率的同时有效降低了涡流损耗和磁滞损耗，从而提升了整体效率和Q值表现。这种材料选择使得器件在GHz级别的射频频段下仍能维持较高的自谐振频率（SRF），确保在实际应用中不会因接近谐振点而导致阻抗急剧变化，进而影响电路匹配效果。
该电感采用精密绕线技术，线圈分布均匀且匝间绝缘良好，有助于减少寄生电容并提高品质因数（Q factor）。高Q值意味着更低的能量损耗和更高的选频能力，这对于射频前端的滤波器、天线匹配网络以及振荡回路至关重要。同时，较低的直流电阻（DCR）也减少了在通过直流偏置电流时的功率损耗和温升问题，提高了系统的整体能效。
在机械结构方面，GLFR1608TR55M-LR采用全自动化生产流程，确保每批次产品的参数一致性与可靠性。端电极经过多层镀银处理，增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，能够承受多次回流焊过程而不发生性能退化。其1608的小型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还支持高密度贴装，满足现代移动终端对轻薄化和集成化的需求。
此外，该器件具有良好的温度稳定性，电感值随温度的变化较小，能够在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电子设备。综合来看，GLFR1608TR55M-LR凭借其高频特性、紧凑尺寸和可靠的制造工艺，成为射频与电源信号链中不可或缺的关键无源元件之一。
GLFR1608TR55M-LR主要应用于高频模拟与射频电路设计中，尤其适用于需要精确电感值和高Q值的场合。常见应用包括移动通信设备中的射频匹配网络，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的天线调谐电路，用于实现最大功率传输和最小反射损耗。此外，它也被广泛用于无线局域网（Wi-Fi）、蓝牙（Bluetooth）、Zigbee及NFC等短距离通信模块的LC滤波器和共振电路中，以提升信号完整性和抗干扰能力。
在射频功率放大器（PA）输出端，该电感可用于构成低通或带通滤波结构，抑制谐波分量并改善输出频谱纯度。同时，在接收路径中，它可以作为预选滤波器的一部分，增强信道选择性并降低带外噪声的影响。另外，由于其具备一定的载流能力，也可用于低功耗DC-DC转换器的输出扼流环节，配合陶瓷电容组成π型或L型滤波网络，平滑输出电压并减少纹波。
其他潜在应用场景还包括射频识别（RFID）读写器、GPS导航模块、物联网传感器节点以及微型基站等射频前端单元。在这些系统中，GLFR1608TR55M-LR凭借其小型化、高频特性和良好的温度稳定性，能够有效支持多频段操作和宽带信号处理需求，是实现高性能无线连接的重要基础元件。
MLG1608G331P
