类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=4.5V，ID=6A时为7.3mΩ；@VGS=2.5V时为9.5mΩ
　　功率耗散（PD）：4.8W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8

GL5UR3K MOSFET具备多项优良特性，使其在低电压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为7.3mΩ，而在更低的栅极电压（如2.5V）下，RDS(on)仍保持在9.5mΩ左右，这使得该器件适用于低电压驱动电路，例如由电池供电的设备或低功耗MCU控制的系统。
　　其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能和热稳定性。高频开关能力使其适用于DC-DC降压或升压转换器、同步整流器等应用。此外，GL5UR3K的SOP-8封装具有良好的热管理能力，能够在高电流工作条件下保持稳定运行，延长器件寿命。
　　再者，GL5UR3K的栅极驱动电压范围较宽（可达20V），允许使用标准逻辑电平（如3.3V或5V）进行控制，兼容多种控制器和驱动电路。这种特性使其在工业控制、通信设备、便携式电子产品和汽车电子中具有广泛的应用前景。
　　此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，可承受短时间的过载和瞬态电流冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。

GL5UR3K MOSFET主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：如DC-DC转换器、负载开关、稳压模块等，用于提高电源转换效率和系统稳定性。
　　2. **电池管理系统**：用于电池充放电控制、电池保护电路，适用于笔记本电脑、平板电脑、电动工具和无人机等设备。
　　3. **工业控制**：如电机驱动、继电器替代、PLC电源管理等，提供高可靠性和低功耗解决方案。
　　4. **消费类电子产品**：包括智能手表、移动电源、无线耳机等低功耗设备，满足高集成度和小型化需求。
　　5. **汽车电子**：如车载充电器、LED照明、车身控制系统等，适应高温和振动环境，确保长期稳定运行。

Si2302DS, BSS138, AO3400A, FDS6675, NVTFS5C471NL