时间：2025/8/28 10:58:27
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GL5TR43是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于多种高效率电源转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.6A
导通电阻(Rds(on))：43mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
GL5TR43的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。其低Rds(on)值减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET的封装形式为SOT-23，具有较小的体积，适合在空间受限的设计中使用。其栅极驱动电压范围宽，能够兼容多种控制电路。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在高负载条件下的可靠运行。同时，GL5TR43的开关速度较快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关电路。
GL5TR43通常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中，例如电池供电设备、电源适配器、DC-DC转换器、电机控制器以及各种类型的负载开关。其紧凑的SOT-23封装使其特别适合用于便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理模块。
Si2302DS, AO3400, IRML2803
