时间：2025/7/22 10:03:21
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PVG19602是一款由Panasonic（松下）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的高功率应用。PVG19602通常封装在紧凑的表面贴装封装中，便于在PCB上安装并提高系统集成度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：12A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大45mΩ（典型值35mΩ）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装类型：SOP（表面贴装封装）
功率耗散（PD）：100W（最大）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
漏极-源极击穿电压：60V
PVG19602具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高开关速度特性有助于减少开关损耗，从而实现更高的工作频率和更小的外部元件尺寸。此外，PVG19602具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于严苛的工作环境。
PVG19602采用SOP封装，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB，从而提高器件的可靠性和寿命。其栅极驱动电压范围较宽，支持1V至10V的栅极驱动电压，使其兼容多种驱动电路，包括低电压控制器和逻辑IC。
该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。其设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其在各种电源拓扑结构中（如Buck、Boost、半桥和全桥拓扑）都能发挥出色性能。
PVG19602广泛应用于多种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、LED照明驱动电源、电信电源模块以及汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC变换器）。由于其高效率和紧凑封装，PVG19602也适用于便携式设备和高密度电源系统。
Si4460BDY-T1-GE3, IRF7413PbF, AO4468, FDS6680, NVTFS5C471NL
