时间：2025/8/29 16:56:37
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GL5HD4是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，旨在提供高效率和高性能的功率开关解决方案。该器件适用于多种应用，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。GL5HD4具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=4.5V, ID=5A时典型值为6.8mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN2×2-8
GL5HD4的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少功率损耗并提升整体系统效率。
该器件采用了DFN2×2-8封装，这种封装形式具有较小的体积和良好的热性能，非常适合空间受限的应用场合。
此外，GL5HD4支持高达10A的连续漏极电流，并在4.5V栅极驱动电压下保持稳定运行，兼容标准逻辑电平驱动器，便于集成到各种电路设计中。
其栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境，确保在各种条件下稳定工作。
GL5HD4广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和小尺寸设计的场合。
它常用于DC-DC转换器中作为主开关元件，提高转换效率并减小电路体积。
在电池供电设备中，如便携式电子产品和电动工具，GL5HD4可用于电源管理电路，实现高效的能量传输与控制。
此外，该MOSFET也适用于负载开关、电机驱动和LED照明控制等应用。
由于其优良的热性能和紧凑的封装，GL5HD4也适合用于空间受限但需要良好散热性能的设计，例如工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K
