CLA50E1200HB 时间：2025/7/28 8:24:07 阅读：36

CLA50E1200HB是一款高功率密度、高效率的功率MOSFET模块，广泛用于工业电源、电机驱动、逆变器及各类高功率开关应用中。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻、高耐压能力以及卓越的热稳定性。CLA50E1200HB通常采用高性能陶瓷绝缘基板，以确保良好的热管理和电气隔离性能。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：50A
　　漏源耐压：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.12Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：HB（Half Bridge）模块封装
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　热阻（Rth）：根据散热条件不同，通常在0.5°C/W至1.2°C/W之间
　　栅极电荷：典型值为120nC
　　工作频率：适用于高频开关应用，支持高达100kHz以上的开关频率

特性

CLA50E1200HB采用了先进的沟槽栅MOSFET芯片技术，使其在高电压和大电流条件下仍能保持稳定的性能。该模块具有极低的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，其HB（半桥）结构设计使得在逆变器或电机控制应用中能够实现更紧凑的电路布局，降低寄生电感，提高系统的动态响应能力。
　　该模块的封装设计考虑了散热性能，内置高效的热传导路径，使得器件在高负载条件下也能维持较低的工作温度。同时，模块的电气隔离设计确保了高可靠性，适用于严苛的工业环境。CLA50E1200HB还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的保护，减少因过流或短路导致的损坏风险。
　　此外，CLA50E1200HB的封装结构支持快速更换和安装，适用于需要高可靠性和高维护性的系统。其引脚设计符合行业标准，便于与现有的功率电路兼容。该模块还具备良好的抗震动和抗冲击能力，适合在恶劣环境中使用。

应用

CLA50E1200HB主要应用于工业自动化设备、电机驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器、焊接设备、电能质量调节系统以及各种高功率开关电源中。由于其高耐压和大电流能力，它也常用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换环节。此外，该模块还可用于轨道交通系统中的牵引变流装置以及各类工业加热设备。