时间：2025/8/27 15:26:41
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GL100MN4TM16是一种N沟道功率MOSFET，通常用于高电流和高电压的开关应用。这种MOSFET具有低导通电阻，适合用于电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻：100mΩ
封装类型：TO-220
工作温度：-55°C至175°C
GL100MN4TM16具有低导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。它还具有高电流能力和良好的热稳定性，适用于各种高功率应用。该MOSFET的封装设计有助于有效的散热，确保在高负载条件下稳定运行。
此外，GL100MN4TM16具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。其高可靠性和耐用性使其成为工业和汽车应用的理想选择。
GL100MN4TM16常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和电池充电器等应用。其高电流能力和低导通电阻使其适合用于高功率电子设备。
IRF1405, STP16NF10, FDPF16N10A
