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MWA120 发布时间 时间:2025/9/4 2:09:34 查看 阅读:14

MWA120 是一款由 Vishay(威世)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率密度的电源转换和功率开关应用。这款器件设计用于在高频率和高效率的条件下工作,适用于诸如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等应用。MWA120 采用先进的沟槽技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on))以及更高的电流处理能力,从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):120V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id)@25°C:100A
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:1.8mΩ
  功率耗散(Pd):320W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

MWA120 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少在高电流应用中的功率损耗。此外,该器件采用了 Vishay 的沟槽技术,这不仅提高了器件的导电能力,还增强了热稳定性和可靠性。MWA120 还具备较高的最大漏极电流容量,使其能够承受瞬时的过载条件而不损坏。该器件的 D2PAK 封装具有良好的热管理能力,能够有效地将热量从芯片传导到散热器或 PCB 板上。
  此外,MWA120 的栅极驱动设计允许在较宽的栅极电压范围内稳定工作,通常在 4.5V 到 20V 之间,这使得它可以与多种驱动电路兼容,包括低电压控制器。器件的耐雪崩能力也较强,能够在非正常工作条件下提供额外的保护,避免因瞬态电压尖峰而损坏。
  另一个显著的特性是其较高的功率耗散能力,320W 的最大功耗使其在高功率应用中表现优异。同时,该器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +175°C,适合在各种恶劣环境条件下使用。

应用

MWA120 主要应用于高功率密度的电源系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车辆(EV)充电系统、工业自动化和马达控制等领域。由于其高电流能力和低导通电阻,MWA120 在需要高效能和高可靠性的系统中表现尤为出色。
  在开关电源中,MWA120 通常用于主开关或同步整流部分,能够显著提高转换效率并减少散热需求。在 DC-DC 转换器中,该器件常用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构中,作为核心的开关元件。在电池管理系统中,MWA120 可用于电池充放电控制和负载切换,其低导通电阻有助于减少能量损耗。
  此外,MWA120 也可用于电动工具和电动车辆的驱动电路中,支持高功率输出并提高系统响应速度。在工业自动化领域,该器件可用于可编程逻辑控制器(PLC)中的电源管理和负载切换,确保系统在高负载条件下稳定运行。

替代型号

SiS120N10NQ, IRF1405, IPW65R045C7

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