时间：2025/8/28 4:19:05
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GL100MN4MP1是一款由Giantec（巨积微电子）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种需要高效能功率管理的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：100A（典型值）
导通电阻（Rds(on)）：约4mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）或类似大功率表面贴装封装
GL100MN4MP1是一款高性能的N沟道MOSFET，其核心特性体现在高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性。这款MOSFET的漏源耐压（Vds）达到100V，使其能够在中高功率应用中稳定工作，而不会因电压波动导致损坏。同时，其连续漏极电流（Id）高达100A，这表明它能够承载较大的工作电流，适合用于需要高电流输出的电源转换或电机驱动系统。
该器件的导通电阻（Rds(on)）约为4mΩ，属于非常低的水平，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。在高温工作环境下，MOSFET的导通电阻变化较小，确保其在重载条件下依然保持良好的性能。
此外，GL100MN4MP1采用TO-263（D2PAK）或类似的表面贴装封装，具备良好的散热性能，便于在高功率密度电路中使用。该封装形式也便于自动化生产和焊接，适用于现代电子制造流程。其栅极阈值电压（Vgs(th)）为2V～4V，意味着可以使用常见的驱动电路进行控制，兼容多种控制芯片和微处理器输出。
GL100MN4MP1广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）等领域。其低导通电阻和高电流承载能力，使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的开关电源设计。
SiHF100N10T、IRF1010E、IPW90R120C3、FDP100N10
