GJM1555C1H8R3WB01D 是一款高性能、低功耗的陶瓷电容器,适用于高频电路中的滤波、耦合和旁路应用。该电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和可靠性,适合在恶劣环境下使用。
型号:GJM1555C1H8R3WB01D
类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
容量:10pF
额定电压:50V
容差:±0.5pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0402英寸
介质材料:C0G/NP0
ESR(等效串联电阻):≤10mΩ
DF(损耗因数):≤0.001
GJM1555C1H8R3WB01D 使用 C0G/NP0 介质材料,具备优异的温度稳定性,在整个温度范围内电容量几乎无变化。其超小尺寸设计使其非常适合用于空间受限的应用场景,同时具有非常低的 ESR 和 DF 值,确保在高频下的高效性能。
该电容器还符合 RoHS 标准,并且能够承受多次焊接热冲击,保证长期使用的可靠性和一致性。
此外,其低 ESL(等效串联电感)特性使其成为高频信号链路中理想的去耦和滤波元件。
GJM1555C1H8R3WB01D 广泛应用于通信设备、消费电子、汽车电子和工业控制等领域。典型应用场景包括:
1. 射频前端电路中的匹配网络和滤波器设计。
2. 高速数字电路中的电源去耦。
3. 音频放大器中的耦合与旁路。
4. 振荡器和时钟电路中的负载电容配置。
5. 工业传感器及医疗设备中的高频信号处理模块。
GJM1555C1H8R3WA01D
GJM1555C1H8R3WB01A
GJM1555C1H8R3WB01B