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GJM1555C1H8R3WB01D 发布时间 时间:2025/6/17 4:49:35 查看 阅读:4

GJM1555C1H8R3WB01D 是一款高性能、低功耗的陶瓷电容器,适用于高频电路中的滤波、耦合和旁路应用。该电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和可靠性,适合在恶劣环境下使用。

参数

型号:GJM1555C1H8R3WB01D
  类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
  容量:10pF
  额定电压:50V
  容差:±0.5pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:0402英寸
  介质材料:C0G/NP0
  ESR(等效串联电阻):≤10mΩ
  DF(损耗因数):≤0.001

特性

GJM1555C1H8R3WB01D 使用 C0G/NP0 介质材料,具备优异的温度稳定性,在整个温度范围内电容量几乎无变化。其超小尺寸设计使其非常适合用于空间受限的应用场景,同时具有非常低的 ESR 和 DF 值,确保在高频下的高效性能。
  该电容器还符合 RoHS 标准,并且能够承受多次焊接热冲击,保证长期使用的可靠性和一致性。
  此外,其低 ESL(等效串联电感)特性使其成为高频信号链路中理想的去耦和滤波元件。

应用

GJM1555C1H8R3WB01D 广泛应用于通信设备、消费电子、汽车电子和工业控制等领域。典型应用场景包括:
  1. 射频前端电路中的匹配网络和滤波器设计。
  2. 高速数字电路中的电源去耦。
  3. 音频放大器中的耦合与旁路。
  4. 振荡器和时钟电路中的负载电容配置。
  5. 工业传感器及医疗设备中的高频信号处理模块。

替代型号

GJM1555C1H8R3WA01D
  GJM1555C1H8R3WB01A
  GJM1555C1H8R3WB01B

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GJM1555C1H8R3WB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容8.3pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-