GJM1555C1H6R4CB01D 是一款高性能的钽电容器,属于片式固态钽电容器系列。该电容器采用先进的制造工艺,具有高可靠性和稳定性,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要小体积、高容量和低等效串联电阻(ESR)的应用场合。
该型号的产品通常用于电源滤波、信号耦合、退耦以及储能等场景,其设计确保了在高频条件下的优良性能。
容值:6.8μF
额定电压:4V
封装类型:chip
工作温度范围:-55℃ to +85℃
耐压等级:50V
等效串联电阻(ESR):0.03Ω
尺寸:1608 (1.6mm x 0.8mm)
电介质材料:Ta2O5
GJM1555C1H6R4CB01D 的主要特性包括:
1. 高能量密度:通过优化设计实现了单位体积内的最大电容值。
2. 稳定性:即使在极端温度条件下,该电容器仍能保持稳定的电气性能。
3. 耐久性强:使用固体电解质,避免了液体电解质可能出现的老化问题,从而延长了使用寿命。
4. 低ESR:确保了在高频应用中的高效表现。
5. 小型化设计:得益于先进的制造技术,该电容器可以适应紧凑型电路板的需求。
6. 自愈性:当发生局部击穿时,能够自行修复以防止进一步损坏。
这款钽电容器适用于多种电子设备中,尤其是在那些对稳定性和可靠性要求较高的领域。具体应用包括:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源管理模块。
2. 工业设备:用于工业自动化控制系统中的滤波和退耦。
3. 汽车电子:在车载信息娱乐系统、发动机控制单元等场景中起到关键作用。
4. 医疗设备:例如心率监测器、血糖仪等便携式医疗设备中的信号处理部分。
5. 通信设备:在网络路由器、基站等通讯设施中的高频电路中发挥重要作用。
GJM1555C1H6R4CB01A
GJM1555C1H6R4CB01B