GJM1555C1H2R9WB01D 是一款高性能的钽电容器,属于 C 型系列,采用表面贴装技术 (SMD) 封装。该型号主要应用于需要高稳定性和低等效串联电阻 (ESR) 的电路中,例如电源滤波、去耦和信号调节等场景。这种钽电容器以其卓越的频率特性和温度稳定性著称,能够在各种严苛环境下提供可靠的性能。
容量:2.2μF
额定电压:50V
封装类型:SMD
外形尺寸:EIA 3216-18
耐热性:+85°C
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
等效串联电阻(ESR):0.1Ω
绝缘电阻:1000MΩ
公差:±20%
GJM1555C1H2R9WB01D 的核心特点是其高可靠性设计,能够适应复杂的电气环境。
1. 钽材料的应用使得该电容器具备非常高的能量密度,适合小型化设计需求。
2. 其低 ESR 特性有助于减少高频噪声的影响,提高系统的整体效率。
3. 宽泛的工作温度范围保证了在极端条件下的正常运行。
4. ±20% 的容量公差确保了批量生产的一致性。
5. 表面贴装设计简化了自动化装配流程,同时提高了抗振动能力。
这款钽电容器适用于以下领域:
1. 通信设备中的电源管理模块。
2. 工业控制电路中的滤波和去耦功能。
3. 消费电子产品的音频电路和信号调理部分。
4. 航空航天及国防领域的关键任务系统。
5. 医疗设备中的精密测量仪器。
GJM1555C1H2R9WB01D 凭借其优异的电气性能和机械稳定性,成为这些高性能应用的理想选择。
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