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KA1H0265RYDTU 发布时间 时间:2025/8/24 21:59:13 查看 阅读:7

KA1H0265RYDTU是一款由三星(Samsung)生产的高性能功率开关集成电路(Power Switch IC),主要用于电源管理和开关电源应用。该芯片内置了高压功率MOSFET,能够承受高电压和大电流,适用于多种电源适配器、充电器和离线式开关电源系统。KA1H0265RYDTU采用先进的高压制程技术制造,具备高集成度和出色的热稳定性,适用于各种需要高效能、高可靠性的电源应用。

参数

型号:KA1H0265RYDTU
  封装类型:DIP-8 / SOP-8
  工作电压范围:85VAC - 265VAC(宽电压输入)
  输出功率:最大输出功率可达15W - 20W
  开关频率:67kHz(典型值)
  内置MOSFET耐压:650V
  最大漏极电流:0.8A
  启动电流:低于10μA
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  保护功能:过载保护(OLP)、过温保护(OTP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)

特性

KA1H0265RYDTU具备多项先进的电源管理功能,使其在各种电源系统中表现出色。首先,其内置的650V高压MOSFET可以有效减少外围元件数量,提高系统集成度,并降低设计复杂度。其次,该芯片采用绿色节能模式,在轻载或无载状态下能够自动降低开关频率,从而减少空载损耗,提高能源利用效率。
  此外,KA1H0265RYDTU具有多种保护机制,如过载保护(OLP)可在负载异常时关闭系统,防止损坏;过温保护(OTP)可监测芯片温度,在温度过高时自动切断电源;过压保护(OVP)可防止输出电压异常升高而损坏后级设备;欠压锁定(UVLO)确保芯片在电压不足时不工作,避免不稳定运行。
  该芯片还具有极低的启动电流,有助于减少启动时的功耗,提高电源效率。其宽输入电压范围(85VAC至265VAC)使其适用于全球范围内的交流电源输入,增强了应用的灵活性。此外,其封装形式包括DIP-8和SOP-8,便于安装和焊接,适用于不同类型的电路板设计。

应用

KA1H0265RYDTU广泛应用于各类开关电源设备中,例如电源适配器、手机充电器、LED驱动电源、家电电源模块、智能电表、工业控制设备等。由于其高集成度和优异的性能,该芯片特别适合用于小型化、高效能的电源设计,尤其是在需要全球电压输入兼容性的产品中。在智能家居和物联网设备中,KA1H0265RYDTU也常用于提供稳定可靠的电源转换解决方案。

替代型号

KA5H0365RYDTU, FSDH321, Viper12A, TNY264

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KA1H0265RYDTU参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 输出端数量1
  • 开启电阻(最大值)5 Ohms
  • 电源电流(最大值)12 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220F-4
  • 最大功率耗散42000 mW
  • 最小工作温度- 25 C
  • 输出电流2 A
  • 封装Rail