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GJM1555C1H160GB01D 发布时间 时间:2025/6/10 10:52:14 查看 阅读:8

GJM1555C1H160GB01D是一款高性能的固态存储芯片,主要应用于工业级和企业级数据存储解决方案。该芯片采用先进的NAND闪存技术,具有高容量、高速度和高可靠性的特点。其设计符合最新的接口标准,能够满足大数据处理和云计算等领域的严苛要求。

参数

型号:GJM1555C1H160GB01D
  容量:160GB
  接口类型:SATA III
  工作电压:3.3V
  读取速度:550MB/s
  写入速度:520MB/s
  平均无故障时间:200万小时
  工作温度:-40℃至+85℃
  封装形式:BGA

特性

GJM1555C1H160GB01D采用了业界领先的3D NAND技术,大幅提升了存储密度和性能。
  该芯片具备强大的纠错能力(ECC),可有效降低数据错误率,提高数据可靠性。
  内置磨损均衡算法,延长了闪存的使用寿命。
  支持TRIM指令,确保长期使用后仍能保持较高的性能水平。
  具备端到端数据保护功能,保障数据在传输过程中的完整性。
  低功耗设计使其非常适合对能耗敏感的应用场景。

应用

GJM1555C1H160GB01D广泛应用于服务器、网络存储设备、工业计算机和嵌入式系统中。
  适用于需要高稳定性和高性能的数据存储场合,例如金融交易系统、医疗影像存储、视频监控系统等。
  其宽温特性使其能够在极端环境下可靠运行,适合军工、航天和户外设备等特殊领域。

替代型号

GJM1555C1H160GB02D
  GJM1555C1H160GB03D

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GJM1555C1H160GB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容16pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-