时间：2025/6/6 9:47:23
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GJM0336C1E7R0DB01D 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率的应用场景设计。该型号属于 GaN Systems 的增强型 GaN FET 系列，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动以及可再生能源系统等应用领域。
这种器件采用了 Island Technology 平台，优化了热性能和电气性能，并且封装形式为 DFN8，能够有效减少寄生电感的影响，从而提升整体系统的效率和可靠性。
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无
工作温度范围：-40℃ to +125℃
封装形式：DFN8
1. 极低的导通电阻（70mΩ），有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，开关频率可达 MHz 级别，非常适合高频应用场景。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸封装（DFN8），具备较低的寄生电感，适合高密度电路设计。
5. 支持宽禁带半导体技术，与传统硅基 MOSFET 相比，在高温下的性能更加稳定。
1. 开关电源（SMPS）中的高频 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 数据中心及服务器电源模块。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
4. 电动汽车充电设施中的功率转换系统。
5. 工业自动化领域的电机驱动和控制电路。
6. 消费类电子产品的快充适配器。
GJM0336B1E7R0DB01D
GJM0336C1E9R0DB01D
GJM0336C1E8R0DB01D
