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GJM0336C1E7R0DB01D 发布时间 时间:2025/6/6 9:47:23 查看 阅读:3

GJM0336C1E7R0DB01D 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该型号属于 GaN Systems 的增强型 GaN FET 系列,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动以及可再生能源系统等应用领域。
  这种器件采用了 Island Technology 平台,优化了热性能和电气性能,并且封装形式为 DFN8,能够有效减少寄生电感的影响,从而提升整体系统的效率和可靠性。

参数

额定电压:650V
  额定电流:30A
  导通电阻:70mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:无
  工作温度范围:-40℃ to +125℃
  封装形式:DFN8

特性

1. 极低的导通电阻(70mΩ),有助于降低导通损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,开关频率可达 MHz 级别,非常适合高频应用场景。
  3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小尺寸封装(DFN8),具备较低的寄生电感,适合高密度电路设计。
  5. 支持宽禁带半导体技术,与传统硅基 MOSFET 相比,在高温下的性能更加稳定。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的高频 AC-DC 和 DC-DC 转换。
  2. 数据中心及服务器电源模块。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
  4. 电动汽车充电设施中的功率转换系统。
  5. 工业自动化领域的电机驱动和控制电路。
  6. 消费类电子产品的快充适配器。

替代型号

GJM0336B1E7R0DB01D
  GJM0336C1E9R0DB01D
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GJM0336C1E7R0DB01D参数

  • 制造商Murata
  • 电容7 pF
  • 容差0.5 pF
  • 电压额定值25 Volts
  • 温度系数/代码C0H
  • 外壳代码 - in0201
  • 外壳代码 - mm0603
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • 尺寸0.3 mm W x 0.6 mm L x 0.3 mm H
  • 封装 / 箱体0201 (0603 metric)
  • 系列GJM
  • 端接类型SMD/SMT