时间：2025/6/23 23:24:00
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GJM0336C1E200GB01J 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以提供卓越的开关性能和效率。该器件适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载点电源等。其封装形式紧凑，有助于节省电路板空间并提升散热性能。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够在较宽的工作电压范围内保持高效运行。此外，它还具备快速开关速度和良好的热稳定性，使其成为众多工业和消费电子应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：2200pF
开关速度：40ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中显著降低功耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，减少磁性元件尺寸，从而优化整体系统设计。
3. 高额定电流和坚固的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
4. 先进的封装技术，提供卓越的热性能和电气连接稳定性。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动车辆（EV/HEV）牵引逆变器及辅助驱动电路。
3. 工业用 DC-DC 转换器和负载点电源模块。
4. 大功率电机驱动控制，包括伺服电机和无刷直流电机。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换设备。
6. 各类消费类电子产品中的高效功率管理方案。
GJM0336C1E200GA01J
GJM0336C1E200GB02J
GJM0336C1E200GC01J
