时间：2025/6/10 10:21:30
阅读：36
GJM0335C1HR75BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，在保证高效率的同时，也提供了良好的热性能和可靠性。它具有低导通电阻、快速开关速度和强大的浪涌电流能力。
其封装形式为 TO-247，适合于大功率应用场景，并且支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和散热管理。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：68A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：99nC
输入电容：4050pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
总功耗：240W
GJM0335C1HR75BB01D 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为 1.4mΩ，可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，提升了整体效率。
3. 强大的过载能力和抗浪涌电流特性，确保在极端条件下的稳定运行。
4. 支持高频操作，适用于现代高效能开关电源设计。
5. 高温适应性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内可靠工作。
6. 内置静电保护功能，增强了器件的耐用性和使用寿命。
7. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款芯片适用于多种工业和消费类电子产品，具体包括：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动器，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. DC-DC 转换器，用于电压调节和功率分配。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 电动车辆的动力管理系统和电池保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
GJM0335C1HR75AA01D, GJM0335C1HR75AB01D
