时间：2025/7/9 18:46:38
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GJM0335C1HR50BB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能应用设计。该器件采用增强型结构，支持高电压操作，并具备低导通电阻和快速开关性能，使其非常适合于开关电源、DC-DC转换器、无线充电及其它高效率电力电子系统。
其封装形式为符合行业标准的小型表贴封装，便于自动化生产和布局优化。此外，该器件具有出色的热性能，有助于提高整体系统的可靠性。
型号：GJM0335C1HR50BB01D
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：+6V/-4V
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值，在Vgs=6V时）
连续漏极电流(Id)：8A（25°C）
开关频率：高达 MHz 级别
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 使用先进的氮化镓技术，提供更高的功率密度和效率。
2. 具备低导通电阻，从而降低传导损耗。
3. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 增强型设计确保在正常工作条件下需要正向栅极驱动电压才能开启。
5. 内置 ESD 保护电路，提高了抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种工业场景。
7. 高可靠性和稳定性，即使在极端温度下也能保持性能。
1. 开关电源(SMPS)：
GJM0335C1HR50BB01D 的高频性能和低开关损耗使它成为 SMPS 的理想选择。
2. DC-DC 转换器：
在 DC-DC 模块中，该器件可以显著提高转换效率并减小磁性元件尺寸。
3. 无线充电：
由于其高效的开关特性，此器件特别适合用于无线充电设备中的功率传输。
4. 电机驱动：
适用于各种类型的电机控制，尤其是需要快速响应的应用。
5. 光伏逆变器：
在太阳能发电系统中，能够提升 MPPT 控制器的效率。
6. 工业电源：
满足对高效率和小型化的需求，广泛应用于工业自动化领域。
GJN0335C1HR50BB01D, GJM0335B1HR50BB01D
