时间：2025/7/9 18:45:39
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GJM0335C1H5R3CB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。其封装形式为DFN8（2x2mm），能够有效减小电路板空间占用，非常适合便携式电子设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
该器件能够在宽电压范围内提供稳定的性能，并具备良好的热特性和抗静电能力，确保在各种工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
反向恢复时间：4ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷使其适合高频应用。
3. 小型化的DFN封装有助于节省PCB空间。
4. 具备优异的热稳定性和鲁棒性，能够适应严苛的工作环境。
5. 内置ESD保护功能增强了器件的耐用性。
GJM0335C1H5R3CB01D广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源适配器和充电器。
2. 便携式电子设备中的DC-DC转换器。
3. LED驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 各种小型化电机驱动方案。
6. 智能家居设备中的电源管理模块。
GJM0335C1H5R3CB01A, GJM0335C1H5R3CB01B
