时间：2025/7/3 14:35:26
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GJM0335C1H1R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等特点，能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
该型号属于沟道型MOSFET系列，支持高频率工作环境，并且优化了热性能，适用于对效率和散热要求较高的场景。
类型：N沟道 MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，仅为1.2mΩ，有助于显著减少导通损耗。
2. 高额定电流能力(48A)，可满足大电流应用场景的需求。
3. 快速开关速度，栅极电荷低至90nC，提高工作效率。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 封装形式为TO-263 (D2PAK)，易于焊接和安装，同时提供良好的散热性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护电路。
6. LED驱动电源及高效率能源转换解决方案。
GJM0335C1H1R2BA01D, IRF3205, SI4470DY
