时间：2025/7/9 18:44:28
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GJM0335C1ER80BB01J 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻和高切换效率的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
该型号属于沟道型 MOSFET，其优化的芯片结构能够有效降低开关损耗并提升系统的整体能效。此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子应用。
类型：MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
额定电压：60V
额定电流：49A
Rds(on)（导通电阻）：1.3mΩ
栅极电荷：77nC
最大功耗：15W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，能够支持高频应用需求。
4. 具备出色的热性能，可以更有效地管理散热问题。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场的合规要求。
6. 封装形式坚固耐用，易于安装并具备良好的电气连接性能。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的主开关或辅助开关元件。
3. 各种电机驱动控制电路，包括无刷直流电机(BLDC)控制。
4. 汽车电子设备中的负载切换与保护功能。
5. 工业自动化领域中用于功率调节和转换的模块。
6. 家用电器中的节能型功率控制单元。
GJM0335C1ER80BA01J, GJM0335C1ER80BC01J
