时间：2025/7/12 19:46:19
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FDS8813NZ-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种高效能的电源管理应用场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 SO-8，具备出色的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：12nC（典型值）
反向恢复时间：4ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高频条件下显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 具备强大的雪崩能力，能够承受瞬态过压条件下的能量冲击。
4. 小型化封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅设计。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动及控制电路。
5. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
FDS8813NZ, FDS8813P, FDS8813Z
