您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GJM0335C1ER80BB01D

GJM0335C1ER80BB01D 发布时间 时间:2025/6/9 9:36:15 查看 阅读:25

GJM0335C1ER80BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等高效率电力电子应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具备低导通电阻和快速开关特性,从而有效降低功耗并提升系统效率。
  这款芯片特别适用于需要高频率操作和低损耗的应用场景,其坚固的设计能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。

参数

型号:GJM0335C1ER80BB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
  IDS(持续漏极电流):90A
  栅极电荷(Qg):70nC
  总栅极电荷(Qgd):25nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  热阻(结到壳):1.5℃/W

特性

1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 优化的栅极电荷设计,可显著降低开关损耗。
  4. 强大的雪崩能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
  7. 封装具有良好的散热性能,支持长时间高负荷运行。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的同步整流管或开关管。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关电路中的功率开关元件。

替代型号

GJM0335C1ER80AA01D, IRF3710, FDP5500NL

GJM0335C1ER80BB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GJM0335C1ER80BB01D资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

GJM0335C1ER80BB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容0.80pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-