时间：2025/6/9 9:36:15
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GJM0335C1ER80BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等高效率电力电子应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性，从而有效降低功耗并提升系统效率。
这款芯片特别适用于需要高频率操作和低损耗的应用场景，其坚固的设计能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
型号：GJM0335C1ER80BB01D
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
IDS（持续漏极电流）：90A
栅极电荷（Qg）：70nC
总栅极电荷（Qgd）：25nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
热阻（结到壳）：1.5℃/W
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 优化的栅极电荷设计，可显著降低开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
7. 封装具有良好的散热性能，支持长时间高负荷运行。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的同步整流管或开关管。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关电路中的功率开关元件。
GJM0335C1ER80AA01D, IRF3710, FDP5500NL
