时间：2025/6/23 14:28:23
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GJM0335C1E9R2BB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性。它广泛应用于电源转换、无线充电、工业电机驱动以及通信系统等领域。
该型号属于增强型场效应晶体管 (eGaN FET)，通过优化栅极驱动设计可以实现更高的效率和更小的尺寸。与传统硅基 MOSFET 相比，GJM0335C1E9R2BB01D 提供了显著的性能改进，尤其是在高频工作条件下。
型号：GJM0335C1E9R2BB01D
类型：增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET)
导通电阻 (Rds(on))：40 mΩ (典型值，@ Vgs=6V)
击穿电压 (BVDSS)：600 V
最大漏极电流 (Id)：20 A (脉冲)
栅极电荷 (Qg)：65 nC (典型值)
输入电容 (Ciss)：2080 pF (典型值)
输出电容 (Coss)：280 pF (典型值)
总栅极电荷 (Qg,total)：75 nC (典型值)
封装形式：TO-247-4L
1. 高击穿电压：600V 的 BVDSS 能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻：40mΩ 的 Rds(on) 减少了导通损耗，从而提高了整体效率。
3. 快速开关性能：极低的栅极电荷 (65nC) 和输出电容 (280pF) 支持 MHz 级别的开关频率。
4. 增强型结构：只有正向栅极电压才能开启器件，提升了安全性和可靠性。
5. 小型化设计：相比传统的硅基 MOSFET，在相同性能下体积更小，有助于降低系统成本和重量。
6. 高温稳定性：支持高达 175°C 的结温运行，适合高温环境下的应用。
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 和 DC/DC 转换器
- 图腾柱 PFC 拓扑
2. 无线充电：
- 高效谐振电路中的开关元件
3. 工业设备：
- 伺服驱动器和变频器
- LED 驱动器和 UPS 系统
4. 通信设备：
- 基站电源
- 数据中心供电模块
5. 光伏逆变器：
- 最大功率点跟踪 (MPPT) 控制
- 微逆变器解决方案
GJM0335C1E9R2AB01D, GJM0335C1E9R2CB01D
