类型：N沟道JFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　跨导（Gm）：典型值10mS
　　饱和漏电流（Idss）：典型值3mA
　　截止频率（ft）：典型值100MHz
　　输入电容（Ciss）：约5pF
　　输出电容（Crss）：约2pF
　　封装形式：TO-92或类似小型封装

2SK242的核心特性之一是其出色的低噪声性能，这使其成为前置放大器和高保真音频电路中的理想选择。在音频应用中，微弱信号极易受到噪声干扰，而2SK242的输入噪声电压非常低，尤其是在低频段（如20Hz～20kHz范围内），能够有效提升信噪比，确保音质的纯净度。此外，该器件的跨导（Gm）具有良好的一致性与线性度，在典型工作点下可达到10mS左右，使得放大电路增益稳定且易于预测。跨导的温度系数较低，有助于在不同环境温度下维持放大性能的一致性。
　　另一个显著特点是其高输入阻抗特性。由于栅极与沟道之间为反向偏置的PN结，静态输入电流极小（通常在皮安级别），因此几乎不从信号源汲取电流，特别适用于高内阻信号源（如麦克风、压电传感器、光电二极管等）的接口电路。这种特性也减少了对前级电路的负载效应，提升了整个系统的响应精度。
　　2SK242还具备良好的开关特性和高频响应能力，其截止频率可达100MHz，意味着它不仅可用于直流和低频模拟信号处理，也能在射频前端或高速信号缓冲电路中发挥作用。尽管其速度不及专用的高频晶体管，但在中低频段仍表现出色。同时，该器件的饱和漏电流（Idss）分布集中，便于批量生产时的电路匹配与调试。
　　在可靠性方面，2SK242采用成熟的硅工艺制造，具有较强的抗静电能力和热稳定性。其最大功耗为200mW，配合合适的散热设计可在较宽温度范围（-55°C至+150°C）内可靠运行。此外，JFET结构本身不存在MOSFET常见的氧化层击穿风险，因此在恶劣电磁环境下更具鲁棒性。这些综合特性使2SK242在工业测量、医疗电子、消费类音频设备等领域获得了长期而广泛的应用。

2SK242主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和稳定增益的模拟电子电路中。最常见的用途是作为音频前置放大器的核心元件，尤其在专业音响设备、吉他效果器、麦克风前置放大器和高保真耳机放大器中被广泛采用。在这些应用中，原始音频信号往往非常微弱，容易受到噪声干扰，而2SK242凭借其极低的本底噪声和高跨导特性，能够实现高质量的小信号放大，从而保留原始音色细节。
　　此外，该器件也常用于各类传感器信号调理电路，例如在压力传感器、加速度计、温度传感器等高阻抗输出传感器的接口设计中，2SK242的高输入阻抗可以最大限度地减少信号衰减，提高测量精度。在精密仪器仪表中，如示波器探头、信号发生器和数据采集系统前端，2SK242常被用作源跟随器或共源放大器，以实现阻抗变换和信号缓冲功能。
　　在通信系统中，2SK242可用于中低频段的射频信号预处理，如调幅/调频接收机的输入级放大，起到增强微弱无线信号的作用。虽然其频率上限有限，但在短波或中波接收应用中仍能满足需求。此外，由于其良好的线性度和低失真特性，2SK242也被用于模拟乘法器、压控电阻、自动增益控制（AGC）电路等非线性应用场合。
　　在教育和实验领域，2SK242因其结构简单、参数明确、不易损坏等特点，常被选为电子工程教学中的典型JFET器件，用于演示场效应管的工作原理、偏置电路设计和放大器频率响应分析等实验内容。其TO-92封装也便于插装在面包板上进行快速原型验证。

2SK192
　　2SK241
　　J201
　　2N5457
　　BF245