时间：2025/6/17 5:39:16
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GJM0335C1E8R9CB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (eGaN) 设计。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。该型号由高效能半导体制造商提供，封装形式为紧凑型表面贴装 (SMT)，能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
这款 GaN 晶体管通过先进的制造工艺优化了开关性能，显著降低了能量损耗，从而提升了系统的整体效率。此外，其卓越的热特性和高电流承载能力使其成为替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 高开关频率支持，可实现更高效率的电源设计。
2. 极低的导通电阻有效减少了传导损耗。
3. 紧凑型封装，适合空间受限的应用场景。
4. 出色的热管理能力，确保长时间稳定运行。
5. 支持高达 1MHz 的开关频率，适用于高频电路。
6. 内置静电保护 (ESD) 结构，提高了器件的可靠性。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 快速充电适配器和无线充电模块。
4. 电机驱动器及工业自动化系统。
5. 数据中心服务器电源单元 (PSU)。
6. 电动汽车充电基础设施中的功率变换组件。
GJM0335C1E8R9CB01B
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GJM0335C1E8R9CB01A
