时间：2025/6/21 6:42:47
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GJM0335C1E180JB01J 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率、高频率的开关电源转换场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。
该器件支持广泛的电压范围，并在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于工业级和消费级电子设备中的电源管理模块。
型号：GJM0335C1E180JB01J
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压：60V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 设计，可有效减少功率损耗。
2. 支持高达 180A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关能力，适合高频开关电源设计。
4. 内置静电保护功能，增强了芯片的抗干扰能力。
5. 工作温度范围广 (-55°C 至 +175°C)，适应恶劣环境下的运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电动工具及电机驱动控制
3. 大功率 LED 照明电路
4. 新能源汽车电池管理系统 (BMS)
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 通信电源和不间断电源 (UPS) 系统
GJM0335C1E180GB01J, IRF180PBF, FDP187AN
