时间：2025/6/10 10:19:31
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GJM0335C1E100FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能耗并提升系统性能。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列，封装形式为标准的表面贴装类型，适用于自动化生产线。由于其出色的电气特性和可靠性，广泛受到工业和消费电子市场的青睐。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻设计，确保在高电流应用中减少功耗。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 内置ESD保护功能，提高器件的抗静电能力。
4. 热稳定性优秀，在高温环境下仍能保持稳定的性能输出。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，方便布局。
6. 符合RoHS标准，绿色环保无铅制程。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. LED驱动电路中的负载控制开关。
5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制开关。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
GJM0335C1E100FA01D, IRFZ44N, FDP55N10
