时间：2025/12/28 21:36:08
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GHV1110001R3 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET，属于高电压和高电流能力的N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率应用，如电源管理、工业控制、电动车辆（EV）充电系统以及可再生能源转换设备。GHV1110001R3具有优异的热性能和高可靠性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：110A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大为1.75mΩ（典型值为1.5mΩ）
栅极电荷（Qg）：270nC（在10V驱动电压下）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
GHV1110001R3具备多项高性能特性，适用于高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了STMicroelectronics的先进制程技术，确保在高温下仍能保持稳定工作，并具有优异的热阻性能。此外，GHV1110001R3的高电流承载能力使其适用于需要大功率输出的应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。
这款MOSFET还具备快速开关能力，降低了开关损耗，有助于提高整体能效。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率应用场景。此外，GHV1110001R3通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。
GHV1110001R3广泛应用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统。常见的应用包括：
? 电动车辆（EV）充电系统
? 工业电源和逆变器
? 太阳能光伏逆变器
? 高功率DC-DC转换器
? 电池管理系统（BMS）
? 电机驱动和控制系统
? UPS（不间断电源）系统
由于其优异的热性能和高可靠性，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的关键功率控制模块。
STL110N10F7
IRF1404Z
IPW90R120C
SiR142DP
