2SC5066-Y 是一种 NPN 型高频硅晶体管,广泛应用于射频 (RF) 放大器和混频电路中。该型号晶体管属于 Toshiba(东芝)公司生产的系列,以其优异的高频特性和低噪声性能而著称。其主要用途包括无线通信设备、电视调谐器以及各种射频模块中的信号放大和处理。
2SC5066-Y 晶体管采用了先进的制造工艺,确保在高频工作环境下具有稳定可靠的性能表现。
集电极-发射极电压:30V
集电极最大电流:150mA
直流电流增益 (hFE):30~80
特征频率 (fT):900MHz
最大耗散功率:300mW
结电容:0.2pF
封装形式:TO-18
2SC5066-Y 的显著特点是其高特征频率 (fT),达到了 900 MHz,这使得它非常适合用于高频应用环境。此外,该晶体管的低噪声系数使其成为射频放大器的理想选择。它的集电极-发射极击穿电压为 30V,能够承受一定的电压波动,同时最大耗散功率为 300mW,适合在低功耗系统中使用。
2SC5066-Y 的结电容仅为 0.2pF,有助于提高高频下的效率和稳定性。由于采用了 TO-18 封装形式,该晶体管具有良好的散热性能,并且易于安装在各种 PCB 板上。
总体而言,2SC5066-Y 结合了高增益、低噪声和高频响应的特点,是一款适用于高性能射频应用的理想晶体管。
2SC5066-Y 广泛应用于以下领域:
1. 射频 (RF) 放大器设计,如无线通信系统中的信号增强。
2. 混频器和振荡器电路,特别是在需要高频率和低噪声的应用中。
3. 电视调谐器及类似设备中的高频信号处理。
4. 各类电子测试仪器中涉及高频信号放大的部分。
5. 其他高频无线电相关设备,例如业余无线电装置等。
2SC5066, 2SC2921, BFR96