时间：2025/6/22 10:43:38
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GGD188R71H103MA02J 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (eGaN) 技术。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点，适用于高频功率转换应用。它采用了先进的封装技术，确保了出色的散热性能和电气特性。
这款 GaN 晶体管非常适合用于电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、无线充电模块、激光雷达驱动器等，能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：4A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 极低的导通电阻，提高了系统的能效。
2. 高频操作能力，使得磁性元件更小，从而减小了整体设计体积。
3. 快速开关特性降低了开关损耗，提升了功率转换效率。
4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强了器件的可靠性。
5. 小巧的封装形式，便于在紧凑空间内使用。
1. 开关电源 (SMPS) 中的高频功率级。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
3. 数据中心服务器的高效电源模块。
4. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
5. 工业自动化设备中的电机驱动控制电路。
GGD188R71H103MA01K, GGD188R71H103MB02J
