时间：2025/5/28 11:54:50
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GESD1005H5R5CR10GPT 是一款基于砷化镓 (GaAs) 材料的射频肖特基二极管，专为高频和高功率应用设计。该器件具有低正向电压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力等特性，适用于通信系统、雷达、卫星和其他高频电子设备中的开关和整流功能。
该型号由通用半导体（General Semiconductor）制造，通常用于需要高可靠性和高效能的应用场景中。
最大正向电流：3A
峰值反向电压：50V
正向电压降：0.4V（典型值，IF=1A）
反向恢复时间：25ns（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：DO-214AC（SMA）
GESD1005H5R5CR10GPT 的主要特点是其在高频条件下的卓越性能和稳定性。具体来说：
1. 高浪涌电流能力使其能够承受瞬态大电流冲击，非常适合保护电路。
2. 快速恢复时间有助于减少开关损耗，并在高频操作时提供更好的效率。
3. 稳定的正向电压降确保了在各种负载条件下的线性表现。
4. 宽工作温度范围表明该二极管能够在极端环境下可靠运行，从而满足工业和军事领域的需求。
5. 其紧凑的 DO-214AC 封装便于表面贴装，适合自动化生产流程。
这款肖特基二极管广泛应用于以下领域：
1. 射频和微波电路中的整流与检测。
2. 开关电源和 DC-DC 转换器中的续流二极管。
3. 保护电路，例如 ESD 和瞬态电压抑制。
4. 高频通信设备中的信号处理模块。
5. 工业和汽车电子中的功率管理部分。
MDD10050H5R5C, GESD1005H5R5CR10GP
