时间：2025/9/11 14:27:39
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KHB1D0N60D是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件由KIA半导体公司制造，采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源转换、电机控制和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：1.0A（连续）
最大栅源电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.0Ω（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
KHB1D0N60D具有多项优良的电气特性，使其在各种功率电子应用中表现出色。首先，其600V的漏源击穿电压提供了出色的电压容忍能力，适用于高电压环境。其次，低导通电阻确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有快速的开关响应能力，适用于高频开关应用，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
该MOSFET采用TO-92封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在紧凑的PCB布局中使用。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），增加了设计的灵活性。此外，KHB1D0N60D的可靠性高，能够在恶劣的工业环境中稳定工作，适用于各种工业控制、电源管理和电机驱动应用。
值得一提的是，KHB1D0N60D在高温环境下依然保持良好的性能，工作温度范围可达-55°C至+150°C，这使其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。
KHB1D0N60D广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、LED驱动器以及家用电器中的功率控制模块。此外，该器件也可用于电池管理系统、工业自动化设备以及小型逆变器等场合。
KSB1D0N60D KSC2610 KSC1318 KSB1D0N65D
