型号：GE28F800B3BA90
　　制造商：Intel（或授权生产）
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit（1 MB）
　　组织结构：按字节/字寻址
　　电压范围：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　访问时间：90 ns
　　接口类型：并行接口（8位/16位可选）
　　编程电压：内部电荷泵提供高压编程
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　可靠性：擦写次数典型值为 100,000 次，数据保持时间超过 10 年

GE28F800B3BA90 采用 Intel 的第二代 StrataFlash 技术，这一技术的核心优势在于其能够在每个存储单元中存储两位数据，显著提升了存储密度而无需增加物理尺寸或引脚数量。这种多层单元（MLC）设计使得该芯片在有限的空间内实现了更高的数据存储效率，特别适合空间受限但需要一定代码存储容量的嵌入式应用。
　　该芯片支持两种操作模式：读取模式和编程/擦除模式。在正常工作状态下，它表现为一个快速的静态存储器，支持随机访问，访问时间低至 90 纳秒，能够直接从 Flash 中执行代码（XIP, eXecute In Place），从而减少对外部 RAM 的依赖，降低系统整体成本。在编程或擦除过程中，芯片通过内部电荷泵生成所需的高压，仅需单一电源供电即可完成写入操作，简化了电源设计。
　　为了提高系统的可靠性和灵活性，GE28F800B3BA90 提供了细粒度的擦除控制机制。整个 8Mbit 存储空间被划分为多个独立的扇区，用户可以选择性地擦除某个扇区而不影响其他区域的数据。这对于固件更新尤其重要，因为可以实现“双缓冲”更新策略，在一个扇区运行当前程序的同时，将新版本写入另一个扇区，确保系统升级过程的安全性。
　　此外，该器件具备较强的环境适应能力，规定的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级应用需求。其 TSOP-48 封装形式有利于高密度 PCB 布局，并具备良好的散热性能。芯片还集成了硬件写保护引脚（WP），可在物理层面防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。
　　尽管该型号属于较早一代的产品，但由于其稳定性、成熟的技术生态以及广泛的开发工具支持（如通用编程器和调试软件），至今仍在某些 legacy 系统中广泛使用。Intel 也为该系列产品提供了完整的数据手册、应用笔记和技术支持文档，便于工程师进行系统集成与故障排查。

GE28F800B3BA90 主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，用于保存启动代码、配置参数和实时操作系统映像。在网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器中，该芯片常被用来存放引导程序（Bootloader）和基本操作系统指令，因其支持 XIP 特性，可直接从 Flash 执行代码，加快启动速度并节省内存资源。
　　在消费类电子产品方面，GE28F800B3BA90 曾广泛用于早期的机顶盒、数字电视、打印机和多媒体播放器等设备中，作为主控 MCU 的外置程序存储器。其稳定的读写性能和较长的数据保持时间确保了设备在长期断电后仍能正常启动。
　　此外，该芯片也被应用于汽车电子模块，例如车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载诊断系统（OBD），尤其是在要求符合工业温度等级且不需要极高容量存储的场合。由于其具备扇区级擦除功能，非常适合实现安全的固件空中升级（FOTA）机制。
　　在军事与航空航天领域，虽然新型号已逐渐取代此类器件，但在一些旧型装备维护和备件更换项目中，GE28F800B3BA90 仍作为关键元器件存在。其经过验证的可靠性、抗干扰能力和长期供货记录使其成为许多高可靠性系统的设计选择之一。
　　随着技术进步，这类并行接口 NOR Flash 正逐步被串行 SPI Flash 或更高密度的嵌入式存储方案替代，但在涉及 legacy 系统维护、逆向工程或兼容性设计时，GE28F800B3BA90 仍然是重要的参考型号。

[
　　 "Intel 28F800B3T",
　　 "Intel 28F800B3B",
　　 "SST39VF800A",
　　 "AMD AM29LV800B",
　　 "Spansion S29AL008D"
　　]