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TMOV34S321MP 发布时间 时间:2025/12/26 23:23:44 查看 阅读:11

TMOV34S321MP是一种高可靠性、高性能的多层片式陶瓷电容器(MLCC),由知名的电子元器件制造商生产,广泛应用于工业、通信、汽车电子和消费类电子产品中。该型号属于X7R或X5R介电材料类别,具备良好的温度稳定性和电容保持率,适合在宽温度范围内工作的电路中使用。TMOV34S321MP采用标准尺寸封装,通常为1210(3225公制)或更小尺寸,具体取决于制造商的命名规则。其额定电压为25V DC,标称电容值为320μF ±20%(实际以规格书为准),适用于去耦、滤波、旁路和储能等典型应用场景。
  该器件具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现。此外,TMOV34S321MP符合RoHS环保要求,并通过AEC-Q200等可靠性认证(视具体应用版本而定),适用于对可靠性和长期稳定性有较高要求的设计场景。由于其小型化设计与高容量特性,常被用于电源管理单元、DC-DC转换器输入/输出滤波电路以及便携式设备中的噪声抑制电路中。

参数

电容值:320μF
  容差:±20%
  额定电压:25V DC
  温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C,电容变化不超过±15%)
  封装尺寸:1210(3.2mm x 2.5mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  介质材料:钡钛酸盐基陶瓷
  老化率:≤2.5%每 decade
  绝缘电阻:≥100MΩ 或 CR ≥ 500S(取较大值)
  最大纹波电流:依据频率和温度条件查表确定
  ESR(等效串联电阻):典型值低于50mΩ(具体随频率变化)
  ESL(等效串联电感):典型值小于1nH

特性

TMOV34S321MP作为一款高性能多层陶瓷电容器,具备出色的温度稳定性与电容保持能力,在-55°C到+125°C的工作温度范围内,其电容值的变化控制在±15%以内,满足大多数严苛环境下的使用需求。这种稳定性源于其采用的X7R型铁电介质材料,该材料在较宽的温度区间内表现出较低的介电常数漂移,从而确保电路参数的一致性。
  该器件具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在高频去耦和瞬态响应应用中表现优异。例如,在数字IC的电源引脚附近用作旁路电容时,能够快速响应电流突变,有效抑制电压波动和高频噪声,提升系统稳定性。同时,低ESR也有助于减少因纹波电流引起的内部发热,提高整体可靠性。
  结构上,TMOV34S321MP采用多层叠层工艺制造,内部由数十至数百层交替排列的金属电极与陶瓷介质构成,这种设计不仅实现了小体积下大容量的目标,还增强了机械强度和抗热冲击能力。产品经过严格的高温负荷测试、温度循环测试和耐湿性评估,确保在复杂工况下的长期运行可靠性。
  此外,该型号支持自动化贴装工艺,兼容回流焊和波峰焊流程,符合现代SMT生产线的要求。其端电极通常采用镍阻挡层加锡镀层结构,提供良好的可焊性和耐腐蚀性,避免因硫化导致的开路失效问题,特别适用于工业和汽车级应用场景。

应用

TMOV34S321MP广泛应用于各类需要高稳定性和高频响应能力的电子电路中。其主要用途包括但不限于:开关模式电源(SMPS)中的输入和输出滤波电容,用于平滑直流电压并抑制开关噪声;在DC-DC转换器模块中作为储能和去耦元件,保障负载瞬变时的电压稳定;在FPGA、ASIC、微处理器等高速数字芯片的电源网络中执行局部去耦功能,降低电源阻抗并抑制高频干扰。
  此外,该器件也常用于工业控制设备、医疗电子仪器、通信基站射频模块以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。由于其具备良好的温度特性和机械鲁棒性,特别适合部署在温差大、振动频繁或湿度较高的环境中,如新能源汽车的电池管理系统(BMS)、充电桩控制板以及轨道交通电子控制系统。
  在消费类电子产品中,TMOV34S321MP可用于高端智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主板电源轨滤波设计,支持多核处理器的动态功耗调节需求。同时,它也可作为模拟信号链路中的耦合与退耦电容,改善音频放大器或传感器接口电路的信噪比性能。随着电子产品向小型化、高效化发展,此类高性能MLCC的需求持续增长。

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TMOV34S321MP参数

  • 标准包装30
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列TMOV34S®
  • 变阻器电压561V
  • 电流 - 浪涌40kA
  • 电路数1
  • 最大交流电压320VAC
  • 最大直流电压420VDC
  • 能量460J
  • 封装/外壳方形 34mm,成形接片,3 引线