制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　存储容量：32 Mbit
　　存储器类型：NOR Flash
　　组织结构：4M x8 / 512K x64
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：70-TSOP
　　访问时间：90ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程机制：字编程、缓冲编程
　　可靠性：典型数据保持期10年，擦写次数10万次

GE28F320C3TC90 采用 Intel 的 StrataFlash 技术，这是一种先进的 NOR 闪存架构，能够在每个存储单元中存储多个数据位，显著提升了存储密度而无需缩小工艺尺寸。这种技术基于阈值电压的精细控制，通过对浮栅晶体管施加不同的编程电平来表示不同状态，从而实现多级存储。这使得该芯片在相同硅片面积下提供更高的有效容量，降低了单位比特的存储成本，特别适合对成本敏感且空间受限的应用场景。该器件支持灵活的扇区架构，允许用户按需擦除特定区域而不影响其他数据，增强了数据管理的灵活性和系统效率。其内置的智能算法包括自动定时编程（ATP）和自动定时擦除（ATE），可优化编程与擦除过程，减少主机处理器干预，提升整体操作可靠性。此外，芯片集成了内部电荷泵，可在标准单电源供电下完成编程和擦除操作，无需外部高压支持，极大简化了外围电路设计。为了增强数据安全性，GE28F320C3TC90 提供了硬件写保护引脚（WP#），防止意外修改关键固件或配置信息。其高速并行接口支持快速随机读取，访问时间低至90纳秒，非常适合直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用模式。在可靠性方面，该器件经过严格测试，保证在恶劣工业环境下长期稳定运行，具备出色的抗干扰能力和耐久性。错误检测与纠正机制（ECC）虽未集成于早期版本中，但可通过外部控制器配合实现一定程度的数据完整性保障。整个芯片设计注重能效比，待机电流极低，进入睡眠模式后功耗进一步降低，适用于电池供电或绿色节能型设备。此外，该器件符合当时的环保标准，采用无铅或兼容 RoHS 的封装材料，满足全球市场准入要求。整体而言，GE28F320C3TC90 凭借其高性能、高可靠性和成熟的生态系统，曾是嵌入式非易失性存储领域的重要选择之一。
　　该芯片还支持软件命令集控制，用户可通过标准的写入序列触发芯片内部操作，如识别查询、擦除、编程、挂起/恢复等功能，提高了开发调试的便利性。命令兼容 JEDEC 标准，便于移植和替换同类产品。同时，其地址与数据复用的并行接口设计兼容主流微处理器和微控制器，易于集成到多种架构平台中。

GE28F320C3TC90 主要应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，尤其是在工业自动化与控制系统中作为固件存储介质。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）设备、远程终端单元（RTU）等工业设备中，该芯片用于存放启动代码、操作系统镜像和配置参数，确保设备上电后能够迅速加载并运行关键程序。在网络通信领域，该器件常见于路由器、交换机、基站控制器等设备中，用于存储引导程序（Bootloader）和运行配置文件，支持快速启动和故障恢复机制。在消费类电子产品中，如老式数码相机、多媒体播放器和家用电器控制模块，GE28F320C3TC90 被用来保存用户设置、校准数据和应用程序代码。汽车电子系统也曾采用此类闪存芯片，应用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元和车载诊断系统（OBD），以满足车规级温度范围和长期稳定性需求。此外，在医疗仪器、测试测量设备和航空航天电子系统中，该芯片因其高可靠性与数据保持能力而受到青睐，用于记录设备日志、存储校准表和执行安全启动流程。由于其支持 XIP（就地执行）特性，处理器可以直接从闪存中读取指令并执行，无需将代码复制到 RAM，节省了内存资源并加快了启动速度。这一特点使其特别适合资源受限的实时系统。同时，其扇区擦除功能允许动态更新部分固件而不影响其余内容，适用于需要现场升级（FOTA 或 Field Upgrade）的场景。尽管当前已有更先进、更高密度的串行闪存或 SPI NAND 取代其地位，但在维护老旧设备、备件替换和兼容性设计中，GE28F320C3TC90 依然具有实际应用价值。

S29GL032N90TFI020
　　MT28GU02GA-9AITC
　　IS26GV032A-90TLI