型号：GE28F256L18B85
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit (32 MByte)
　　组织结构：16位数据总线
　　工作电压：Vcc = 3.0V ~ 3.6V，Vpp = 12V（可选编程电压）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：56-pin TSOP 或 48-ball BGA
　　访问时间：85 ns（最大值）
　　读取电流：典型值为 30 mA
　　待机电流：≤ 100 μA
　　编程/擦除耐久性：10万次以上
　　数据保持时间：大于10年
　　接口类型：异步SRAM兼容接口
　　是否支持块锁定：是
　　是否支持软件数据保护：是

GE28F256L18B85采用了Intel专有的StrataFlash技术，这项技术结合了NOR Flash的高速随机访问特性和多层存储单元的优势，实现了更高的存储密度与成本效益之间的平衡。该器件在每个存储单元中可以存储多个比特的数据，通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量来区分不同状态，从而实现比传统单级单元（SLC）Flash更高的存储效率。这种设计不仅降低了单位存储成本，还保持了良好的读写性能和可靠性。
　　该芯片支持全芯片及按扇区进行快速擦除操作，同时具备高效的页编程能力，允许用户以较小的数据块为单位进行写入操作，提高了写入灵活性和系统响应速度。内置的硬件复位输入（RESET#）引脚可在系统异常时强制器件进入已知的安全状态，防止非法操作导致的数据损坏。此外，它还提供了多种软件命令集，可用于配置设备运行模式、查询状态寄存器、执行自检程序以及启用高级安全功能如扇区保护锁（Sector Protection Lockout），有效防止意外或恶意修改关键固件。
　　为了提升系统稳定性，GE28F256L18B85集成了错误检测机制，并支持Cyclic Redundancy Check（CRC）校验功能，在数据传输过程中可识别潜在的传输错误。其低功耗特性体现在多种工作模式下，包括自动进入低电流待机模式当片选信号无效时，极大延长了电池供电系统的续航时间。此外，该器件符合工业级环境要求，能够在宽温范围内稳定运行，适应恶劣的工作环境。所有这些特性使得GE28F256L18B85成为对可靠性、性能和成本都有较高要求的应用中的理想选择。

GE28F256L18B85广泛应用于需要大容量、高可靠性和快速启动能力的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站等网络设备中存储操作系统映像、配置文件和固件代码，得益于其x8/x16可变总线宽度和异步接口设计，能够无缝替换传统的SRAM或EPROM，且无需额外缓存即可直接从Flash执行代码，简化了系统架构并降低了整体成本。
　　在工业自动化控制系统中，该器件用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块中保存用户程序、参数设置和诊断信息。由于其具备出色的抗干扰能力和宽温工作特性，非常适合部署在工厂车间、电力系统或户外环境中。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和消费类高端电子产品中也有广泛应用。例如，在便携式医疗监测仪中，利用其低功耗待机模式和长期数据保持能力，确保设备即使在断电情况下也能保留关键患者数据。而在数字标牌和多媒体播放器中，它可以存储启动引导程序和静态资源文件，保障系统快速开机和稳定运行。
　　由于支持硬件和软件双重写保护机制，GE28F256L18B85也适用于对安全性要求较高的场合，如金融终端、安全监控设备和军用电子系统，防止未经授权的固件篡改，增强系统的整体安全性。

S29GL256P