制造商：Intel (now Micron)
　　系列：StrataFlash
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　架构：并行接口
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　访问时间：70ns
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：10 年
　　接口类型：CE#、OE#、WE# 控制信号
　　地址总线宽度：20 位
　　数据总线宽度：8/16 位可选
　　内部结构：128 块 × 128 KB

GE28F160C3TD70 采用 Intel 的第三代 StrataFlash 技术，结合了多级单元（MLC）存储原理与优化的制造工艺，实现了在单个芯片内高达 16 Mbit 的存储容量。这种 MLC 技术通过调节浮栅晶体管中的电荷量，使得每个存储单元可以表示多个逻辑状态（如两位数据），从而显著提升了存储密度，同时降低了单位比特的成本。该器件支持 x8/x16 字宽模式切换，允许系统根据实际需求灵活配置数据总线宽度，在性能与引脚资源之间取得平衡。其 70ns 的快速访问时间确保了高效的读取操作，适用于对响应速度有一定要求的嵌入式应用。
　　该芯片内置智能命令集（如 CFI - Common Flash Interface 支持），允许主机系统动态读取器件信息（如厂商 ID、设备 ID、电压要求、时序参数等），从而实现自动配置和即插即用功能，极大简化了系统开发流程。CFI 还支持不同厂商之间的兼容性，有助于供应链管理。器件提供块锁定和软件保护功能，可通过命令序列设置特定块为只读状态，防止关键固件或引导代码被误修改，增强系统安全性。此外，它具备低功耗待机模式，在未激活状态下消耗极小电流，适合电池供电或节能型设备。
　　在可靠性方面，GE28F160C3TD70 经过严格测试，保证在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行，适应严苛的工作环境。其数据保持能力长达 10 年以上，并支持至少 100,000 次的编程/擦除周期，满足大多数嵌入式系统的寿命要求。内部采用冗余设计和错误管理机制，进一步提升长期使用的稳定性。由于采用标准 TSOP-48 封装，易于焊接与检测，适合大规模生产。虽然该器件不支持 NAND Flash 常见的 ECC 自纠错功能，但其 NOR 架构支持 XIP（eXecute In Place），允许处理器直接从 Flash 中执行代码，无需加载到 RAM，节省内存资源并加快启动速度。

GE28F160C3TD70 主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，尤其适用于工业自动化控制设备，例如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块，用于存储固件、配置参数和实时日志数据。在网络通信领域，该芯片常见于路由器、交换机和基站设备中，作为引导程序（Bootloader）和操作系统映像的存储介质，保障设备上电后能快速启动并进入正常工作状态。在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，该器件用于保存校准数据、用户设置和安全认证信息，确保设备精度和合规性。
　　此外，该芯片也广泛应用于汽车电子模块，包括车身控制单元（BCM）、仪表盘系统和车载信息娱乐系统（IVI），用于存储启动代码、诊断协议和图形资源。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，特别适合部署在高温或电磁环境复杂的车辆环境中。在消费类电子产品中，如高端打印机、POS 终端和智能家电控制器中，GE28F160C3TD70 提供稳定的代码存储解决方案，支持远程固件更新和多语言界面切换功能。
　　得益于其并行接口带来的高速读取能力和 XIP 特性，该器件非常适合需要直接执行代码的应用场景，避免将程序加载至 RAM 执行所带来的延迟和内存占用问题。对于那些尚未迁移到串行 SPI Flash 或 eMMC/UFS 的传统系统而言，GE28F160C3TD70 仍是一个成熟可靠的选项。即使在当前向小型化和低功耗演进的趋势下，该芯片仍在许多存量设备维护、备件替换和工业升级改造项目中发挥重要作用。

MT28F160C3TDP70
　　MT28F160C3TD-70
　　S29GL128P_02