类型：稳压二极管（Zener Diode）
　　封装：SOD-323
　　标称稳压值：2.8V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　测试电流（IZT）：5mA
　　最大峰值脉冲电流：未指定
　　反向漏电流（IR）：≤1μA @ VR = 1V
　　动态阻抗（Zzt）：≤35Ω @ IZT = 5mA

GDZT2R8.2稳压二极管的核心特性之一是其精确且稳定的电压调节能力。该器件在反向偏置状态下，当电压达到其额定齐纳电压（约2.8V）时，会迅速进入击穿区域并保持一个相对恒定的电压降，从而实现对后续电路的有效保护或提供参考电平。其±5%的电压容差保证了批次间的一致性，有利于提升系统整体的可靠性和可预测性。该稳压值特别适用于低电压逻辑电路（如3.3V或更低供电系统）中的电平箝位，防止因瞬态电压波动导致的误操作或损坏。
　　另一个关键特性是其低动态阻抗（Zzt ≤ 35Ω）。这意味着即使负载电流发生一定变化，稳压管两端的电压变化也非常小，提升了稳压性能的线性度和稳定性。这对于需要高精度参考电压的应用场景尤为重要，例如模拟前端信号调理、ADC参考源旁路保护等。此外，低动态阻抗还能有效抑制高频噪声，增强系统的抗干扰能力。
　　GDZT2R8.2采用SOD-323封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm），非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对空间要求极为严格的电子产品中。该封装具有良好的热传导性能和机械强度，能够在回流焊过程中承受高温而不影响电气性能。同时，器件具备高达+150℃的最大结温，表现出优异的热稳定性，可在恶劣工作环境下长期稳定运行。
　　该器件还具备较低的反向漏电流（≤1μA @ VR=1V），在非击穿状态下功耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。结合其200mW的最大功率耗散能力，GDZT2R8.2可在短时间内承受一定的浪涌电流冲击，适用于ESD防护和瞬态电压抑制场合。整体而言，这款稳压二极管兼顾性能、尺寸与可靠性，是现代电子设计中理想的电压保护与参考元件之一。

GDZT2R8.2稳压二极管广泛应用于多种电子电路中，主要用于低电压环境下的稳压与保护功能。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源轨保护，例如手机、MP3播放器、蓝牙耳机等设备的锂电池供电管理系统，用于防止充电或放电过程中的过压风险。此外，在微控制器（MCU）的I/O口保护电路中，该器件可用于限制输入信号电压不超过安全范围，避免因外部信号异常导致芯片损坏。
　　在模拟电路设计中，GDZT2R8.2可作为基准电压源使用，特别是在不需要极高精度但要求成本低廉且响应快速的场合。例如，在运算放大器的偏置电路或比较器的参考电压设定中，它可以提供一个稳定的2.8V参考点。同时，由于其响应速度快，也常被用于高速数字接口（如USB、I2C、SPI）的静电放电（ESD）防护电路中，吸收瞬间高压脉冲，保护敏感集成电路免受损害。
　　该器件还可用于电源监控电路或复位电路中，与其他元件配合实现欠压锁定（UVLO）或电压检测功能。在工业控制、智能家居传感器模块以及无线通信模块中，GDZT2R8.2因其高可靠性和小型化优势而被广泛采用。此外，在LED驱动电路或电池电量指示电路中，也可利用其稳定压降特性进行简单的电压分段检测。总之，该器件适用于任何需要小型化、低成本且具备基本稳压与保护功能的电子系统。