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SI4196DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/29 15:29:01 查看 阅读:2

SI4196DY-T1-GE3 是一款由 Skyworks 提供的 RF 功率放大器模块,专为蜂窝物联网应用中的 LTE 和 GSM 通信设计。该模块采用了先进的 GaAs HBT 工艺制造,具有高效率和线性度的特点,能够满足现代无线通信系统对射频性能的要求。
  其主要用途是在无线通信设备中提供功率放大功能,适用于各种物联网终端、工业设备和消费类电子产品。由于其低功耗特性和小尺寸封装,SI4196DY-T1-GE3 成为了许多便携式和空间受限应用的理想选择。

参数

工作频率范围:720 MHz 至 805 MHz
  输出功率:+26 dBm(典型值)
  增益:30 dB(典型值)
  电源电压:3.2 V 至 4.2 V
  静态电流:50 mA(典型值)
  效率:50%(典型值,在 Pout = +26 dBm 时)
  封装形式:3x3 mm QFN
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

高效率:
  SI4196DY-T1-GE3 在整个工作频率范围内均能保持较高的功率附加效率 (PAE),从而降低设备的能耗。
  出色的线性度:
  该模块经过优化,能够在 LTE 和 GSM 系统中提供良好的线性输出,确保信号传输质量。
  集成匹配网络:
  内置输入/输出匹配网络,简化了电路设计并减少了外围元件数量。
  小尺寸:
  采用紧凑型 3x3 mm 封装,适合空间有限的应用场景。
  易于使用:
  只需极少的外部元件即可实现完整的射频功率放大解决方案,降低了设计复杂度。

应用

蜂窝物联网模块
  GSM/LTE 终端设备
  智能家居产品
  可穿戴设备
  工业无线通信设备
  远程监控系统

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SI4196DY-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 8A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)830 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),4.6W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)