类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A（在VGS=10V时）
　　最大漏-源电压（VDS）：20V
　　最大栅-源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为15mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP/表面贴装
　　最大功耗：2.5W（在Tc=25°C时）

GDZP15B 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统的效率。由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET在高频率下仍能保持稳定的性能，适用于需要快速开关的电路设计。此外，GDZP15B 具备良好的热稳定性，能够在较高温度下正常工作，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
　　该器件的另一个显著特性是其高电流承载能力，最大漏极电流可达15A，这使得它非常适合用于电机驱动、电源管理以及负载开关等需要大电流控制的场合。同时，GDZP15B 的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的控制电路中灵活应用。
　　从封装角度来看，GDZP15B 采用的是SOP（小外形封装），具有较小的体积和良好的散热性能，便于在紧凑型电路板设计中使用。这种封装形式也便于自动化生产，降低了制造成本。
　　此外，GDZP15B 的工作温度范围广泛，能够在-55°C至+150°C之间正常运行，这使得它适用于各种工业和汽车电子应用，具备较高的环境适应性。

GDZP15B 主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。其中，开关电源（SMPS）是最常见的应用之一，该MOSFET的低导通电阻和高开关速度有助于提高电源转换效率，降低发热损耗。在DC-DC转换器中，GDZP15B 可作为主开关元件，实现高效的电压调节功能。
　　此外，GDZP15B 还广泛应用于电机控制电路中，例如直流电机驱动器、步进电机控制器等，其高电流承载能力和快速响应特性能够有效提升电机的运行性能。在负载开关电路中，GDZP15B 可用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）和充电器设计，能够有效管理电池充放电过程，提高系统的安全性和稳定性。由于其良好的热特性和宽工作温度范围，GDZP15B 也常用于汽车电子系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中。

TPS62150A-Q1, AO4406A, Si4410BDY, FDS4410A