时间：2025/8/8 20:05:55
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K2892-01R是一种常用的表面贴装功率MOSFET，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：连续 9.2A（Tc=25℃）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 28mΩ @ VGS=10V
功率耗散：42W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
K2892-01R具备极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外，其坚固的封装结构提供了良好的散热性能，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
该器件还具备优异的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。K2892-01R采用了环保材料，符合RoHS指令，适用于无铅焊接工艺。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动，便于在多种电路设计中使用。
K2892-01R适用于多种电源管理场合，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路、负载开关以及电机驱动电路。在工业自动化、通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中均有广泛应用。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413, AO4406A
