时间：2025/8/14 3:33:56
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GDZP13A 是一款由Giantec Semiconductor（巨电半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：130A（在TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，VGS=10V）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55℃至+175℃
GDZP13A MOSFET具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。
此外，GDZP13A具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，避免因过热而导致的性能下降或损坏。其TO-263（D2PAK）封装不仅提供了优异的散热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动设计，同时具备较高的抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
GDZP13A广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它被用于高效率的DC-DC转换和同步整流电路，提升整体转换效率。在电动工具、无人机和电动车等产品中，该器件可作为电机驱动或电池管理系统（BMS）中的关键开关元件。
此外，GDZP13A也适用于负载开关、电源管理模块、服务器电源和工业控制设备。其高电流承载能力和低导通损耗使其成为高功率密度设计的理想选择，尤其适用于对效率和热管理有严格要求的应用场景。
Si7483BDN-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, NexFET CSD13384F4
